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氢氧合成扩散炉
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产品详情
一.设备概述:
本设备主要用于集成电路、电力电子等行业的关键电子专用设备,氢氧合成是将3-6英寸硅片放置于氧气或水蒸气的氛围中进行高温热处理,在硅片表面形成氧化膜的过程,氧化工艺是集成电路工艺中应用最广泛的基础工艺之一,氧化膜的用途广泛,可作为离子注入的阻挡层及注入穿透层(损伤缓冲层)、表面钝化、绝缘栅材料以及器件保护层、隔离层、器件结构的介质层等制程湿氧工艺,采用电脑工控机软件控制方式,是其性能技术指标已经达到国际先进技术水平。
二.设备类型参数:
方式:
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左/右手操作方式,大工作台面(侧面采用高效净化)
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可配工艺管数量:
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1-5管系统
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净化台洁净度:
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100级(10000级厂房)
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气体流量控制:
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均用MFC控制
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气路流量设定精度:
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±2%FS
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送取片方式:
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自动推拉,采用Sic浆推拉舟,软着陆方式
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推拉杆行程
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1800mm-2100mm
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速度:
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20mm-1000mm/min
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承重:
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≥15kg
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冷却系统:
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水冷2-4Kgf/cm2,8L/min;+上接排风冷≈25m3/min;
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使用类型:
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3-6寸炉管
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可加工硅片尺寸
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3-6英寸
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工作温度:
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500~1100℃
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炉管有效口径:
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¢150-240mm
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总功率:
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15-28KVA(单管) 保温功率:8-15KVA
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三相五线制:
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380V±10%,50Hz±10%,次级线不小于35平方高温线
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报警:
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具有超温报警,断偶报警,气体互锁,气体缓启动等功能
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恒温区长度及段数:
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800-1100mm(3-5段控温)
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控温精度:
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±1℃(≧1100℃)
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单点温度稳定性:
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±1℃/12h
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控温方式:
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工控机 + PLC控制 + 触摸屏
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热偶类型:
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热电偶采用S/R型,每管Spike 4-10支热偶
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******可控升温范围:
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(600~1100℃)0--15℃/min
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******可控降温范围:
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(1100~600℃)0--10℃/min
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设备总外形尺寸:
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根据设备配置不同,尺寸有所不同
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三.主要构成:
1、
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设备主机
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2、
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加热系统
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3、
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排风冷却系统
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4、
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排毒箱(和设备主机做为一体)De
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5、
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净化工作台
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6、
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控制系统
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7、
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自动石英浆推拉舟机构
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8、
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点火系统
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四.设备主要特点和优势
1★具有强大的软件功能,友好的人机界面,用户可以方便地修改工艺控制参数,并可随时显示各种工艺状态;配有故障自诊断软件,可大大节省维修时间;
2★采用高可靠性工控机+PLC模式,对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化;
3★程序可以实现手/自动工作,在停电或中途停机后,再次启动可以根据工艺手动升温,节省工艺时间;
4★具有多种工艺管路,可供用户方便选择;
5★冷端采用PT100检测环境温度进行温度补偿,避免环境温度变化,对炉膛温度产生影响,避免层间干扰;
6★推拉舟控制采用高速脉冲闭环控制,避免马达丢步,运行颤抖现象。推拉舟运行完一个周期,自动校准位置,有效防止定位偏差;
7★气体流量采用数字化精确控制,采用模拟信号闭环控制,强弱电分开,各种数据交互采用标准总线,提高抗干扰能力,保证数据安全;气体打开具有缓启动功能;
8★具有多种报警功能及安全保护功能;
9★恒温区自动调整,串级控制,可准确控制反应管的实际工艺温度;
10★压力自动调整技术,将压力参数引入晶体硅扩散/氧化/氢氧合成工艺,有效减小了尾部排风对工艺的干扰,减小由排风引起的工艺波动。
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